荒川 義博; 秋場 真人; 近藤 梅夫*; 松田 慎三郎; 大賀 徳道
not registered; not registered; not registered; Matsuda, Shinzaburo; Oga, Tokumichi
JT-60中性粒子入射装置用イオン源を開発するため、デュオピガトロン型イオン源を用いてソースプラズマの改良実験をおこなった。円形デュオビガトロン型イオン源(引出し電極:15cm
)では、引出し電極全面にわたって一様(密度変化
10%以内)かつ高密度(イオン飽和電流密度:250mA/cm
)なソースプラズマが得られた。又、矩形デュオビガトロン型イオン源(引出し電極:12cm
27cm)では、引出し電極面の一部(8cm24cm)で一様(密度変化5%以内)で、イオン飽和電流190mA/cmのソースプラズマが得られた。さらにイオン源内部の電位分布の測定をおこなった結果、中間電極下流に設けた金属ボタンは、端にプラズマの一様化の役割をはたすばかりでなく、密度レベルの上昇、ガス効率およびアーク効率の向上化に貢献することがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
報告書番号 |
: | JAERI-M 8088 |
ページ数 |
: | 22 Pages |
発行年月 |
: | 1979/02 |
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論文URL |
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キーワード |
: | Source Plasma; DuoPIGatron; Ion Source; Neutral Beam; Arc; Duoplasmatron; cusp |
Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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