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BeOおよびSiCの電子状態と価電子帯XPSスペクトル

Electronic Structures and Valence Band XPS Spectra of BeO and SiC Calculated by X$$_{alpha}$$ Cluster Method

曽我 猛; 佐々木 貞吉

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高温構造材料として工学的に広く用いられているBeO、$$alpha$$-SiC(ともにWurutzite型)と$$beta$$-Sic(Zinc-blend型)に対する電子状態を、DX-X$$_{alpha}$$分子軌道法で計算し、価電子帯XPSスペクトルの解析を行った。クラスターとしてWurutzite型には[Be$$_{4}$$O$$_{4}$$]、[Si$$_{4}$$C$$_{4}$$]、Zinc-blend型には[Si$$_{5}$$C$$_{4}$$]$$^{n}$$$$^{-}$$を採用した。BeOではその絶縁性と一致する価電子帯レベル構造を得た。また、$$alpha$$-SiC、$$beta$$-sICについては半導体的性質を裏付けるレベル構造が得られた。さらに、$$alpha$$-SiCの価電子帯XPSスペクトルは$$beta$$-SiCのそれと類似し、実測スペクトルとも良好な一致を示すことか確められた。しかし、Si原子の有効荷電には大きな差違が認められ($$alpha$$-Sicでは+1.56、$$beta$$-Sicではでは+0.75)、$$alpha$$-SiCの方がイオン性結合のより大きい材料であることを明らかにした。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

報告書番号

 :

JAERI-M 9769

ページ数

 :

19 Pages

発行年月

 :

1981/10

特許データ

 :

PDF

 :

JAERI-M-9769.pdf:0.54MB

論文URL

 :

https://doi.org/10.11484/jaeri-m-9769

キーワード

 :

BeO; $$alpha$$-SiC; $$beta$$-SiC; photoelectron; spectra; electronic; structures

使用施設

 :

広報プレスリリース

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