Japanese Contributions to IAEA INTOR Workshop,Phase 2A; Chapte VII:Impurity Control and First Wall-Engineering
IAEA INTORワークショップ、フェーズ2A検討報告書; 第VII章:不純物制御と第1壁 -エンジニアリング
平岡 徹; 藤沢 登; 西尾 敏; 中村 博雄; 曽根 和穂; 前野 勝樹; 山本 新; 大塚 英男; 阿部 哲也 ; 深井 佑造*; 沢田 芳夫*; 三木 信晴*; 内田 孝穂*; 長沼 正光*; 畑山 明聖*; 大森 順二*; 田辺 義雄*; 海老沢 克之*; 寺沢 倫孝*; 立川 信夫*
not registered; not registered; not registered; Nakamura, H.; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered
IAEA、INTORワークショップ、フェーズ2Aにおける日本の検討成果をまとめた報告書の一部をなすものである。不純物制御の方式として、本フェーズにおいては、ポンプリミターを中心に検討を行った。ポンプリミターとしては、ダブルエッジ型、曲面板方式を採用した。表面材料および基盤材料について検討評価を行った。材料選定に際しては、スパッタリング、プラズマディスラプション時における挙動、熱特性、電磁気特性、基盤への接続方式などを総合的に評価した。また、新しく開発されたSiCの第1壁への応用も検討した。
no abstracts in English
- 登録番号 : M19820174
- 抄録集掲載番号 :
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