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Electron Probe Micro-Analysis of Irradiated Triso-Coated UO$$_{2}$$ Particles,-(II)

照射済Triso被覆UO$$_{2}$$粒子のEPMA-(II)

湊 和生 ; 小川 徹; 福田 幸朔; 井川 勝市; 岩本 多實

Minato, Kazuo; not registered; not registered; Ikawa, Katsuichi; Iwamoto, K.

照射済Triso被覆UO2粒子をEPMAを用いて観察した。この実験は、初歩的なものであったが、パラジウウムのSiC層内面における蓄積、およびSiC層中への進入が見られた。パラジウム量が1粒子あたり1.1$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$~3.6$$times$$10$$^{1}$$$$^{5}$$atom/particleの粒子において、パラジウムのSiC層内面における蓄積が見られた。パラジウムの蓄積は、粒子の高温側でも低温側でも見られたが、蓄積量および蓄積個所は、低温側の方が多かった。セリウム、テルル、およびバリウムは、バッファーPyC層中ばかりでなく、SiC層内面でも検出された。被覆層中の塩素の検出を試みたが、使用した樹脂に塩素が含まれていたため、妨害された。

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