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X-ray photoelectron and X-ray-induced auger electron spectroscopic data, III; Graphite,Si,SiC,Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ and SiO$$_{2}$$

X線光電子及びX線励起オージェ電子スペクトルデータ,III; グラファイト、Si、SiC、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ 及び SiO$$_{2}$$

佐々木 貞吉; 馬場 祐治  

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グラファイト、Si、SiC、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$、SiO$$_{2}$$について、X線光電子(XPS)スペクトル及びX線励起オージェ電子(XAES)スペクトルを測定した。表面吸着物質の除去は、350$$^{circ}$$Cの高真空加熱とイオンエッチングの併用により行った。試料の化学的清浄表面は4$$mu$$A/cm$$^{2}$$の8keVAr$$^{+}$$イオンビームでエッチングすることにより得られ、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$、SiO$$_{2}$$に対するSi2P線の化学シフトはそれぞれ0.9eV、2.1eV、4.0eVと決定された。本研究で得られたデータを用いて水素イオン照射表面の化学状態を解析したところ、グラファイト及びSiC表面でほC-H結合が、また、Si、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$及びSiO$$_{2}$$表面ではSi-H結合が形成されたことを示唆する結果が得られた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

報告書番号

 :

JAERI-M 85-063

ページ数

 :

28 Pages

発行年月

 :

1985/06

特許データ

 :

PDF

 :

JAERI-M-85-063.pdf:0.54MB

論文URL

 :

https://doi.org/10.11484/jaeri-m-85-063

キーワード

 :

X-ray photoelectron; X-ray-induced auger; Graphite; Si; SiC; Si$$_{3}$$N$$_{4}$$; SiO$$_{2}$$; Hydrogen ion; Hydrogen recycling; Hydride

使用施設

 :

広報プレスリリース

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