中性子照射によるシリコンドーピング

Silicon Doping by Neutron Irradiation

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シリコン単結晶に中性子を照射しリンをドレ-ププする。NTD法は、次の核反応により行われる. $^{3}$ $^{0}$ Si(u,r) $^{3}$ $^{1}$ Si $^{3}$ $^{1}$ P+ $^{-}$ この方法は、シリコン中にリンが均一にド-プされるため、シリコン半導体製造の一分野として現在、各国において用いられている。原研においては、1975年より研究を開始し1977年7月より実用照射を行っている。本報告は、原研における過去10年間の研究開発とド-ピング技術についてまとめたものである。

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使用言語	:	Japanese
報告書番号	:	JAERI-M 86-002
ページ数	:	31 Pages
発行年月	:	1986/02
特許データ	:
PDF	:	JAERI-M-86-002.pdf:0.91MB
論文URL	:	https://doi.org/10.11484/jaeri-m-86-002
キーワード	:	Silicon; Neutron Irradiation; NTD; Doping; TRR-2; TRR-4; Research Reactor
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:
他機関報告書番号	:

Access	:	- Accesses
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登録番号 : M19860002
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