-FeSi
thin film prepared by ion beam sputter deposition method-FeSi薄膜の発光特性志村 憲一郎; 山口 憲司; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 社本 真一 
; 北條 喜一
Shimura, Kenichiro; Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasase, Masato*; Shamoto, Shinichi; Hojo, Kiichi
イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法により作製した-FeSi薄膜の発光特性を調べ、本手法による-FeSiとしては初めて、100K以下の温度にて0.77及び0.83eV付近に発光ピークを観測した。さらに1153Kで24時間以上アニールすることにより、ピーク位置は0.81eVへとシフトするものの、6Kでの発光強度は1桁以上増加した。アニール前の発光スペクトルは100K以上で消光してしまったのに対し、アニール後は、室温付近まで発光を観測することができた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 242 |
号 |
: | 1-2 |
ページ数 |
: | p.673 - 675 |
発行年月 |
: | 2006/01 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：43.85 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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