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Evaluation of RF properties by orifice design for IFMIF RFQ

IFMIF用RFQのためのオリフィス・デザインに対するRF特性評価

前原 直; 森山 伸一; 三枝 幹雄*; 杉本 昌義

Maebara, Sunao; Moriyama, Shinichi; Saigusa, Mikio*; Sugimoto, Masayoshi

IFMIF(国際核融合材料中性子中性子照射施設)用RFQ(高周波四重極加速器)のためのオリフィスを設計及び製作し、低電力による高周波特性の評価を行った。その設計されたオリフィスは、RFQモックアップモジュールに取付け、四重極運転モードTE$$_{210}$$に対する共振周波数及びキャビティ間の位相差を測定した。この結果、オリフィスのスリット方向をRFQ壁に流れる電流方向と同じにした条件では、高周波特性はオリフィスによる影響を受けないことが判明した。これらの設計されたコンダクタンスは、221から240liter/secであり、IFMIF RFQにおける4.1mのセントラルモジュールに4個のオリフィスを設けることにより、5$$times$$10$$^{-7}$$[Pa]レベルの真空度を達成できる結論を得た。

no abstracts in English

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