Secondary electron emission from overlaid crystal targets bombareded with hundred-keV light ions

100keV領域の軽イオンを表面被覆を持つ結晶に入射した時に放出される2次電子

Kudo, Hiroshi*; Nakamura, Naoki*; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi

チャンネル条件下で、準表面層で生成する2次電子の収量と2次電子の回折効果を確認するため、Si単結晶表面に非晶質層を形成した後、100keV/uのHe $^{+}$ イオンを入射して、2次電子スペクトル(0.21.0keV)を調べた。その結果、以下の結論を得た。(1)2次電子の回折効果は、この実験の誤差範囲内では明確には現れないので、イオン入射時の結晶学的情報を直接的に反映した表面解析が可能である。(2)2次電子の発生、表面への反跳過程の実験結果は、計算結果とよく対応する。したがって、イオン誘起2次電子分光法は、高感度な表面解析法と有用になる。特にオージェ電子分光と組合せることにより、重元素マトリックス上の軽元素の結晶学的解析が可能になり、ほかに類を見ない貴重な手法となろう。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	JAERI-Review 99-025, TIARA Annual Report 1998
巻	:
号	:
ページ数	:	p.185 - 187
発行年月	:	1999/10
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Sub-surface; Ion Shadowing; Secondary Electron Emission

特許データ	:
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論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Review-99-025.pdf
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登録番号 : A19990391
抄録集掲載番号 : 47000343
論文投稿番号 : 21021

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