films induced by high-energy heavy ionsの結晶粒の配向性の向上Shinde, N. S.*; 松波 紀明*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 岡安 悟 
; 加藤 輝雄; 田沢 真人*
Shinde, N. S.*; Matsunami, Noriaki*; Shimura, Tetsuo*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Kato, Teruo; Tazawa, Masato*
東海研タンデム加速器からの高エネルギー重イオンを用いて、高密度電子励起による多結晶SiOのイオンビーム改質を行った。試料は単結晶基板を大気中で1300
Cに加熱して作成した。薄膜厚は約1
、結晶粒径は数であった。この試料に対し100MeVのXeイオンを照射量は3.6
10
/cm
まで照射した。未照射試料と比較すると210
/cm照射した試料のX線回折の結果、ロッキングカーブの半値幅が15%減少し、照射量が大きくなると増大する。一方回折強度は半分に減少した。配向性の向上は結晶成長によるとも考えられるが、AFMの結果では結晶成長は見られない。他の配向性の向上の機構,電子的構造の改質の結果についても考察予定である。
no abstracts in English
発表言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 245 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.231 - 234 |
発行年月 |
: | 2006/04 |
発表会議名 |
: | 6th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM 2005) |
開催年月 |
: | 2005/05 |
開催都市 |
: | Aschaffenburg |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
: | High Energy Heavy Ion; Xe; SiO |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：33.37 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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