Highly polarized electrons from GaAs-GaAsP and InGaAs-AlGaAs strained-layer superlattice photocathodes

GaAs-GaAsP及びInGaAs-AlGaAs歪み超格子光陰極を用いた高い偏極度を持った電子生成

西谷 智博; 中西 彊*; 山本 将博*; 奥見 正治*; 古田 史生*; 宮本 延春*; 桑原 真人*; 山本 尚人*; 浪花 健一*; 渡辺 修*; 竹田 美和*; 小早川 久*; 高嶋 圭史*; 堀中 博道*; 松山 哲也*; 渡川 和晃*; 坂 貴*; 多和田 正文*; 大森 恒彦*; 栗原 良将*; 吉岡 正和*; 加藤 俊宏*; 馬場 寿夫*

Nishitani, Tomohiro; Nakanishi, Tsutomu*; Yamamoto, Masahiro*; Okumi, Shoji*; Furuta, Fumio*; Miyamoto, Masaharu*; Kuwahara, Makoto*; Yamamoto, Naoto*; Naniwa, Kenichi*; Watanabe, Osamu*; Takeda, Yoshikazu*; Kobayakawa, Hisashi*; Takashima, Yoshifumi*; Horinaka, Hiromichi*; Matsuyama, Tetsuya*; Togawa, Kazuaki*; Saka, Takashi*; Tawada, Masafumi*; Omori, Tsunehiko*; Kurihara, Yoshimasa*; Yoshioka, Masakazu*; Kato, Toshihiro*; Baba, Toshio*

GaAs-GaAsP及びInGaAs-AlGaAs歪み超格子光陰極は50%を超える偏極度の電子生成を実現してきた。InGaAs-AlGaAs歪み超格子光陰極では高い量子効率0.7%を達成したが、その偏極度は775%であった。一方、GaAs-GaAsP歪み超格子光陰極では926%の高い偏極度を0.5%の高い量子効率で達成した。さらに、このような超格子光陰極を用いたときの高い偏極度の電子生成メカニズムを実験的に得たスピン分解量子効率により明らかにした。

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