Development of a dc 1MV power supply technology for NB injectors

中性粒子入射装置のための直流1MV電源技術の開発

渡邊 和弘; 柏木 美恵子; 川島 秀一*; 小野 要一*; 山下 泰郎*; 山崎 長治*; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 谷口 正樹; 奥村 義和; 坂本 慶司

Watanabe, Kazuhiro; Kashiwagi, Mieko; Kawashima, Shuichi*; Ono, Yoichi*; Yamashita, Yasuo*; Yamazaki, Choji*; Hanada, Masaya; Inoue, Takashi; Taniguchi, Masaki; Okumura, Yoshikazu; Sakamoto, Keishi

1MeV級の中性粒子入射装置用電源における重要な技術は、超高電圧の高速制御,直流1MVの電送,イオン源で放電破壊の際のサージの抑制である。超高電圧の制御については、これまでのパワー半導体の進歩を反映させ、従来のGTOインバータをIEGT素子に変えたインバータについて検討した。その結果、インバータでの損失を従来の1/3に低減でき、大きさとしてもGTO方式の6割に小型化できることを示した。さらに、1MV電送については、重要な要素である超高圧のブッシングについての試作試験で十分な耐電圧を確認した。また、サージの抑制については、高磁束密度で周波応答の良いファインメットコアを用いることで、サージの吸収が可能である。これらの技術のこれまでの進展について述べる。

no abstracts in English