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In situ characterization of the heterointerfaces between SrO films and dangling-bond-terminated Si surfaces

水素終端Si面上のSr, SrOエピタキシャル薄膜界面のその場観察

朝岡 秀人; 山崎 竜也*; 山本 博之; 社本 真一

Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya*; Yamamoto, Hiroyuki; Shamoto, Shinichi

接合界面に水素終端処理を行うことによって格子不整合度による成長物質の制約が緩和されたSiとSrとの物質間でヘテロエピタキシャル成長に成功している。RHEEDなどによるその場観察法により成長初期段階から歪みのない薄膜結晶が成長する過程を見いだした。

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パーセンタイル:74.07

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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