松浦 秀治*; 鏡原 聡*; 伊藤 祐司*; 大島 武; 伊藤 久義
Matsuura, Hideharu*; Kagamihara, So*; Ito, Yuji*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)中のアルミニウム(Al)アクセプタ不純物の電気的な性質を明らかにするために、電子線照射した4H-SiCの正孔濃度を調べた。電子線照射はSiC中の炭素原子(C)のみをはじき出すことができる200keVと、シリコン(Si), C、及びAl全ての原子をはじき出す4.6MeVのエネルギーを用いて行った。その結果、200keV電子線照射では正孔濃度が減少し、それに対応するようにAlに関連する深い準位(活性化エネルギー:350meV)が増加した。このことより、200keV電子線照射によりAlアクセプタに隣接するC原子がはじき出されAl-V
のような複合欠陥が形成されることでAlアクセプタ濃度が減少する機構と、350eV付近の深い準位はAl-Vの複合欠陥に由来することが示唆された。一方、4.6MeV電子線照射では、正孔濃度は激減し、350meVの深い準位も若干の減少を示した。このことから、Si, C, Al原子を全てはじき出す高エネルギー電子線照射では、新たな欠陥が形成されて、正孔濃度が減少するとが考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 83 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.17 - 19 |
発行年月 |
: | 2006/01 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2005/07 |
開催都市 |
: | Singapore |
開催国 |
: | Singapore |
キーワード |
: | 炭化ケイ素(SiC); 電子線照射; 正孔濃度; Alアクセプタ; 深い準位 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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パーセンタイル：24.47 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
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