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Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si(111) epitaxy

サーファクタントの有無によるGe/Si(111)界面での転位ネットワーク

Filimonov, S. N.*; Cherepanov, V.*; Paul, N.*; 朝岡 秀人  ; Brona, J.*; Voigtl$"a$nder, B.*

Filimonov, S. N.*; Cherepanov, V.*; Paul, N.*; Asaoka, Hidehito; Brona, J.*; Voigtl$"a$nder, B.*

サーファクタント(界面活性剤)としてのBiの有無によるGe/Si(111)界面に生じる転位のネットワークについてシミュレーションとSTM観察を用いて評価を行った。その結果、サーファクタントを用いた成長では転位が三角格子ネットワークであるのに対して、用いていない成長ではハニカム格子ネットワークを有することがわかった。また欠陥密度はサーファクタントを用いていない成長の方が少なくGe/Siのミキシングによる緩和が原因と考えられる。

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パーセンタイル:55.81

分野:Chemistry, Physical

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