水素終端Si基板上の薄膜成長過程における歪み、内部応力のその場観察

In-situ observation of strain and stress evolution during thin film growth on H-terminated Si

Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya*; Shamoto, Shinichi

水素終端Si基板上へのSr薄膜の初期成長プロセスについて評価を行った。その場観測によって、2原子層目のSrの蒸着時にSi基板と、バルクの結晶格子を持つSr薄膜に起因するRHEED回折像を同時に得た。つまり1原子層の極めて薄い界面を経た結晶成長が実現している。その成長メカニズムを内部応力測定とともに検討する。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	日本結晶成長学会誌
巻	:	32
号	:	3
ページ数	:	P. 160
発行年月	:	2005/08
発表会議名	:	日本結晶成長学会第35回結晶成長国内会議(NCCG-35)
開催年月	:	2005/08
開催都市	:	広島
開催国	:	日本
キーワード	:	結晶成長; ナノ物質; MBE; 薄膜; 格子不整合

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登録番号 : B20050606
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 60

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