Structural changes in anatase TiO thin films irradiated with high-energy heavy ions

高エネルギー重イオン照射したアナターゼ型TiO薄膜における構造変化

石川 法人   ; 山本 春也; 知見 康弘

Ishikawa, Norito; Yamamoto, Shunya; Chimi, Yasuhiro

230MeV Xeイオン照射したアナターゼ型TiO薄膜における電子励起効果をX線回折法により調べた。X線回折強度の照射量依存性は、指数関数的に減少することがわかった。この照射による損傷挙動は約10nmサイズのトラック形成によるものである。イオン照射したルチル型TiO薄膜と異なる損傷挙動を示すこともわかった。X線回折法が、トラック構造に関する定量的情報を抽出する有力な方法であることを示すことができた。

Electronic excitation effects on TiO thin films with anatase structure irradiated with 230MeV Xe ions have been studied by means of X-ray diffraction method. X-ray diffraction intensity shows exponential decrease as a function of ion-fluence, indicating that tracks having about 10nm diameter are introduced by the irradiation. Rutile structured TiO was also irradiated and exhibited different damage behavior from that of anatase one. We demonstrated that X-ray diffraction meathod is one of the powerful tool to investigate track structure.