電子線を用いたケイ素高分子からのマイクロセラミック材料の開発

Development of micro ceramic products from Si-based polymers by electron beam irradiation

本稿は耐熱・耐蝕性に優れた炭化ケイ素(SiC)のマイクロチューブをケイ素高分子から合成する新技術について述べている。具体的には、ケイ素高分子を繊維化し電子線照射で表面のみ酸化して架橋させ、未架橋の繊維内部を溶媒で抽出することで中空構造を形成し、その後不活性ガス中で熱処理してセラミックに転換する手法についての解説である。SiCマイクロチューブの長さは約20cm程度で、その壁厚を電子線照射条件によりその壁厚を220mの範囲で制御可能である。1000 $^{circ}$ Cを超える耐熱性と耐蝕性を有し、また、アモルファス構造を利用したガス選択分離性を付与可能であることから、比表面積の大きなマイクロチューブを用いた高効率フィルターや吸着材等への応用が期待できる。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	工業材料
巻	:	53
号	:	12
ページ数	:	p.75 - 79
発行年月	:	2005/12
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キーワード	:	SiC; セラミックス; マイクロチューブ; ポリカルボシラン; アモルファス; 不融化; 電子線; フィルター

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登録番号 : A20050291
抄録集掲載番号 : 47000088
論文投稿番号 : 20781

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