クリプトンを閉じ込めるためのアモルファス合金の製法と性質

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不活性であるクリプトンの特徴を生かして、放電、スパッタリング、イオン注入の技術を組み合わせたクリプトンの固定化技術を開発している。ターゲット電極にニッケル-イットリウム金蔵を用い、サブストレイト電極上に形成するニッケル-イットリウムのアモルファス合金にクリプトンをイオン注入した。合金中のクリプトンは、約10atom%となり、クリプトンは約数nmの集合部(バブル)を形成し閉じこめられている。なお、本資料は、アイソトープ協会の月刊誌のミニレビュとして掲載を依頼されたものである。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	Radioisotopes
巻	:	48
号	:	3
ページ数	:	p.243 - 245
発行年月	:	1999/00
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登録番号 : 08-1998-0318
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