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4H-SiC(0001)基板表面に堆積させたSiO$$_{2}$$酸化膜のCV法による評価

Evaluation of SiO$$_{2}$$ thin films deposited on 4H-SiC(0001) substrates by capacitance-voltage method

吉川 正人; 中村 智宣*; 宮下 敦巳; 大沼 敏治*; 土田 秀一*

Yoshikawa, Masahito; Nakamura, Tomonori*; Miyashita, Atsumi; Onuma, Toshiharu*; Tsuchida, Hidekazu*

界面中間層のない急峻な界面形成を目指して、水素雰囲気下で表面をエッチングして平坦化させたエピ膜付4H-SiC基板表面に、シランと亜酸化窒素を用いてSiO$$_{2}$$膜を化学気層成長させた。電気的に良好な特性を有する堆積酸化膜形成条件をCV法で調べた結果、酸化膜堆積温度が850$$^{circ}$$C以下で堆積後のアルゴンアニーリング温度が1100$$^{circ}$$Cを超えると、界面の電気特性が良好になることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会

開催年月

 :

2005/11

開催都市

 :

京都

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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電力中央研究所

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