Si(001)-21ドライ初期酸化における酸化物アイランドの成長モード変化,2

Mode change in the initial growth of oxide islands during dry oxidation of Si(001)-21 surface, 2

Togashi, Hideaki*; Suemitsu, Maki*; Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya

Si(001)面のシリコン酸化膜の制御を可能にするため、1層未満の酸化過程をSTMを用いて解析した。その結果、基板不純物B濃度の上昇に伴い、酸化物2Dアイランドから酸化物1Dアイランドの生成比率が大きくなることを見いだした。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
巻	:
号	:
ページ数	:
発行年月	:
発表会議名	:	2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2006/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : BB20051334
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.