小野田 忍; 平尾 敏雄; Laird, J. S.*; 三島 健太; 河野 勝泰*; 伊藤 久義
Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Laird, J. S.*; Mishima, Kenta; Kawano, Katsuyasu*; Ito, Hisayoshi
宇宙環境に存在する数十MeV
数百GeVの高エネルギー重イオンが半導体素子に誘起するシングルイベント(SE)効果の発生機構を調べるためには、微細な高エネルギーイオンビームを半導体素子の任意の領域に照射する技術が必要となる。そのため、百MeV級の重イオンのビーム径を絞って任意の位置に照射し、その際発生するSE過渡電流の強度をマッピングすることができるTIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)システムを開発し、数十から数百
mの感受領域を持つ半導体素子に対してTIBICイメージを実測した。その結果、エネルギーが高くなるに従いSE過渡電流の波高が高くなることがわかった。重イオンが半導体中に誘起する電子・正孔分布(プラズマトラック)の計算を実施し、シノプシス製TCAD10を用いてデバイスシミュレーションした結果、エネルギーが高くなるほどプラズマ密度が低くなり、また、低密度であるほどプラズマ中のキャリア拡散が速くなるため、キャリアが高速で収集されSE過渡電流の波高が高くなることが明らかとなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 53 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.3731 - 3737 |
発行年月 |
: | 2006/12 |
発表会議名 |
: | 2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2006) |
開催年月 |
: | 2006/07 |
開催都市 |
: | Florida |
開催国 |
: | U.S.A. |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
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使用施設 |
: | |
論文解説記事 |
: | 銀河宇宙線による電子回路の誤動作を探る; 高エネルギー重イオン入射による半導体の過渡電流発生過程の解明[ |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
InCites™ |
: |
パーセンタイル：72.85 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
Altmetrics |
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