AlInGaP solar cells AlInGaP太陽電池中の照射欠陥の回復増進Lee, H. S.*; 山口 真史*; Ekins-Daukes, N. J.*; Khan, A.*; 高本 達也*; 今泉 充*; 大島 武; 伊藤 久義
Lee, H. S.*; Yamaguchi, Masafumi*; Ekins-Daukes, N. J.*; Khan, A.*; Takamoto, Tatsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
次期宇宙用多接合太陽電池のトップセルとして期待されるAlInGaP太陽電池の照射欠陥をDLTSにより調べた。有機金属化学気相成長(MOCVD)法によりGaAs基板上に作製したAlInGaP太陽電池へ1MeV電子線を1
10
310
/cm
照射した。照射試料をDLTS測定したところ、H1(E
+0.50eV)とH2(E+0.90eV)、の二つの多数キャリア捕獲中心及びE2(E
-0.70eV)とE3(E-0.85eV)の二つの小数キャリア捕獲中心が観測された。さらに、電子線照射した太陽電池へ0.1A/cmの電流注入を行ったところH1及びH2中心の濃度が減少することが見いだされた。電流注入温度とH1, H2中心の減少量の関係から欠陥アニール率を求めたところ、欠陥回復の活性化エネルギーとしてH1は0.50eV、H2は0.60eVが決定できた。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proceedings of 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4) (CD-ROM) |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.1826 - 1829 |
発行年月 |
: | 2006/05 |
発表会議名 |
: | 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4) |
開催年月 |
: | 2006/05 |
開催都市 |
: | Waikoloa |
開催国 |
: | U.S.A. |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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