Growth and structural properties of -FeSi layers on glass substrates

ガラス基板上への-FeSi層の成長とその構造

佐竹 俊哉*; 山口 憲司; 山本 博之; 松山 剛*; 立岡 浩一*

Satake, Toshiya*; Yamaguchi, Kenji; Yamamoto, Hiroyuki; Matsuyama, Takashi*; Tatsuoka, Hirokazu*

-FeSiは光電変換デバイスへの応用が期待されるシリサイド半導体の一つである。現在まで種々の方法で成膜が行われ高品質の薄膜が得られているが、その特性は基板の影響を非常に受けやすく、薄膜自体の評価は必ずしも容易ではない。本研究では絶縁体である石英ガラス及びSIMOX(Separation by IMplanted OXygen)を基板として用い、-FeSi成膜後のX線回折測定及び透過型電子顕微鏡(TEM)観察により薄膜の構造に関して評価を行った。この結果、石英ガラス上では-FeSiは多結晶であるが、(422)面が優先的に成長していることが明らかとなった。またSIMOX基板上では反応・成膜途中の平面TEM像から-FeSiアイランドの生成、合体等の過程が観測され、Siがアイランド直下だけでなくその周囲からも供給されていることが示唆された。

-FeSi layers were grown on insulating substrates by reactive deposition epitaxy (RDE). As substrate, SIMOX (Separation by implanted oxygen) was used as well as silica substrates with pre-deposited thin poly-silicon layers. The structural properties of the -FeSi layers have been investigated using X-ray diffraction technique (XRD) and transmission electron microscopy (TEM).