炭素系薄膜材料の軽元素分布解析

Analysis of light elements in carbon materials

堀野裕治*; 杢野由明*; 茶谷原昭義*; 安井治之*; 粟津薫*; 鳴海一雅; 楢本洋; 山本春也

Horino, Yuji*; Mokuno, Yoshiaki*; Chayahara, Akiyoshi*; Yasui, Haruyuki*; Awazu, Kaoru*; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi; Yamamoto, Shunya

$^{15}$ Nと水素との共鳴核反応法 $^{15}$ N(p, ) $^{12}$ Cを利用して、2keV H $^{+}$ を注入したSi,多結晶ダイヤモンド,単結晶ダイヤモンド(Ib型)中の水素分布測定を行った。分析チェンバーを改良し、真空度を2桁近くよくしたところ、試料表面の吸着物に由来する水素によるピーク幅が、改良前に比べて約1/2になった。2keV H $^{+}$ を510 $^{15}$ ions/cm $^{2}$ 注入したSiの場合、表面吸着物由来の水素と注入水素の分布が明瞭に区別され、注入水素の分布のピークはTRIMコードで計算した飛程44nmとほぼ一致した。多結晶ダイヤモンドの場合、内部の水素量は約0.2at%であるが、ダイヤモンド単結晶の場合、表面吸着物由来のピーク以外は、S/N比による測定限界以下であった。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第1回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2006/06
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	石川県工業試験場; 産業技術総合研究所

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