• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

Si$$_{2}$$F$$_{6}$$の二波長レーザー照射によるSi同位体濃縮

Silicon isotope enrichment by two-color laser irradiation of Si$$_{2}$$F$$_{6}$$

大場 弘則  ; 赤木 浩; 横山 淳; 山田 洋一; 山本 博之

Oba, Hironori; Akagi, Hiroshi; Yokoyama, Atsushi; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki

Si同位体は高性能半導体デバイスへの応用が考えられており大量かつ迅速に分離する技術が求められている。Si$$_{2}$$F$$_{6}$$分子を対象とした赤外レーザー光照射では、同位体選択的に解離(Si$$_{2}$$F$$_{6}$$+nh$$nu$$ $$Xrightarrow Y$$SiF$$_{4}$$+SiF$$_{2}$$)させると、未分解Si$$_{2}$$F$$_{6}$$に$$^{28}$$Siが、分解生成物SiF$$_{4}$$とSiF$$_{2}$$に$$^{29}$$Si, $$^{30}$$Siが濃縮する。われわれは、弱い振動励起光で同位体選択的に振動励起した後に、異なる波長の強い分解光で振動励起した分子を選択的に多光子分解させる赤外二波長照射を適用することにより高効率のSi同位体濃縮を可能にした。これまでに$$^{28}$$Siの大量生産に向けた連続濃縮技術の開発を行ってきた。今回は、中性子照射による$$^{30}$$Si$$Xrightarrow Y$$$$^{31}$$Pの核変換を利用した半導体デバイス創製への応用のため、$$^{30}$$Si濃縮実験を行った。$$^{28}$$Si濃縮と同じ照射波長で、原料ガス流量と圧力及びレーザー照射パルス数を変化させて、Si$$_{2}$$F$$_{6}$$の分解を抑えることにより$$^{30}$$Si濃度を高めたところ、約10%(天然存在比: 3.1%)の$$^{30}$$Siを含む分解生成SiF$$_{4}$$が0.1g/hrの生成速度で得られた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2006/08

開催都市

 :

草津

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る