ディープサブミクロンLSIの耐放射線性強化技術; SOI技術による耐放射線性高速論理回路の開発

Technologies of radiation hardness for deep submicron semiconductor devices; Development of rad-hard high-speed logic circuit using SOI technology

新藤 浩之*; 佐藤 洋平*; 緑川 正彦*; 久保山 智司*; 槙原 亜紀子*; 平尾 敏雄; 伊藤 久義

Shindo, Hiroyuki*; Sato, Yohei*; Midorikawa, Masahiko*; Kuboyama, Satoshi*; Makihara, Akiko*; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi

微細加工が進んだ高機能LSIの放射線耐性強化のために、SOI(Silicon On Insulator)構造を有するデバイスを用いて誤信号発生回避の冗長トランジスタの設計を行い、高エネルギー重イオン照射による実証試験を行った。その結果、SOI技術を用いて設計製作した冗長回路では、重イオン照射によるSEUの発生断面積が対策なしと比較して2桁も少ないことが得られた。しかし、問題点として回路内での誤信号の発生を完全に除去するには、面積・消費電力が2倍,動作速度が1/2になることが判明し、大きなペナルティが課せられることも判明した。

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