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Comparison of above bandgap laser and MeV ion induced single event transients in high-speed Si photonic devices

単一パルスレーザー及び単一イオンが高速Si光デバイスに誘起するシングルイベント過渡電流の比較

Laird, J. S.*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 伊藤 久義; Johnston, A.*

Laird, J. S.*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Ito, Hisayoshi; Johnston, A.*

ピコ秒の単一パルスレーザー(788nm)及び単一イオンが誘起するシングルイベント過渡電流の比較を行った。パルスレーザーを用いてイオンを模擬することが可能となれば、実験時間の短縮や実験費用の削減に繋がる。実験に使用したパルスレーザー及びイオンのビーム径はおよそ1$$mu$$mとした。実験とデバイスシミュレータにより求めた過渡電流を比較した結果、アンバイポーラ拡散が起因となって発生する電流については、パルスレーザーでイオンを模擬することができないことが明らかとなった。しかしながら、アンバイポーラ拡散の後に発生するドリフト電流成分については、パルスレーザーでイオンを模擬することができることが明らかとなった。

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分野:Engineering, Electrical & Electronic

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