反射高速陽電子回折によるSi(111)--Ag表面構造相転移の研究,2

Phase transition of Si(111)--Ag surface studied by reflection high-energy positron diffraction, 2

深谷 有喜   ; 橋本 美絵; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

Fukaya, Yuki; Hashimoto, Mie; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

Si(111)--Ag表面は、半導体表面上に形成される2次元金属系のプロトタイプとして興味がもたれ、これまでにさまざまな研究手法を用いて研究されている。この表面は、約130Kで構造から別の構造に相転移することが知られている。これまでの研究から、低温相はinequivalent triangle(IET)構造で確立しているが、高温相の構造はさまざまなモデルが提唱されている。以前われわれは、反射高速陽電子回折(RHEPD)を用いたロッキング曲線と温度依存性の解析から、高温相においてもIET構造が保たれており、この表面は秩序・無秩序相転移を起こすことを明らかにした。今回、秩序化の振る舞いを詳細に研究するため、RHEPD装置にHe冷凍機を組み込み、温度依存性の測定を約50Kまで行えるようにした。今回の測定は、以前の測定で見られた相転移温度以下の特異な強度変化を低温領域に外挿する結果が得られた。今回、広い温度範囲で決定した臨界指数等について報告する。

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