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Electronic sputtering of nitrides by high-energy ions

高エネルギーイオンによる窒化物の電子励起スパッタリング

松波 紀明*; 左高 正雄; 岡安 悟  ; 田沢 真人*

Matsunami, Noriaki*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Tazawa, Masato*

重イオン照射による電子励起機構(電子系から格子系へのエネルギー移行過程)を研究するため、東海タンデム加速器からの高エネルギーイオンを窒化物Si$$_{3}$$N$$_{4}$$とAlNについて照射し、電子励起効果によるスパッタリング収量を測定した。その結果を以前に測定した酸化物の高エネルギー重イオンによるスパッタリング収量と比較し、収量に関して物質のバンドギャップに依存することを確かめた。その結果について、多重エキシトンが関与する機構と物質の結合性(共有結合性,イオン結合性)について議論を行う。

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