リアルタイム光電子分光測定によるSi(110)-162初期酸化過程の観察,1

Observation of initial oxidation process on Si(110)-162 by real-time photoemission spectroscopy, 1

富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 山本 喜久*; 今野 篤史*; 成田 克*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 高橋 裕也*; 朝岡 秀人  

Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Yamamoto, Yoshihisa*; Konno, Atsushi*; Narita, Yuzuru*; Suemitsu, Maki*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Takahashi, Yuya*; Asaoka, Hidehito

Si(110)面は正孔移動度がSi(100)面と比較して大きいため、より高速の電子デバイス動作が期待されている。また3次元フィン型トランジスタ構造に用いられる面方位として高集積化の観点からも有望視され、Si(110)面は高速化,高集積化の両者から注目を集めている。このように次世代トランジスタ構造として重要なSi(110)面であるが、デバイス作製の鍵を握る極薄酸化膜の初期形成過程は、これまでほとんど解明されてこなかった。われわれはリアルタイム放射光光電子分光法と走査型トンネル顕微鏡を用いてSi(110)-162清浄表面の初期酸化過程における酸化膜被覆率の時間発展を観察した。その結果、Si(001)-21表面では見られない、Si(110)-162表面特有の急速な初期酸化過程が存在することを見いだした。このような酸化過程は、Si(110)-162再配列表面に特徴的に存在するアドアトムクラスターが寄与する現象と考えられる。

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