高純度FeSi $_{2}$ 合金を用いた-FeSi $_{2}$ 単結晶の溶液成長,2

Solution growth of -FeSi $_{2}$ single crystal using a high purity FeSi $_{2}$ source, 2

Goto, Kohei*; Udono, Haruhiko*; Kikuma, Isao*; Esaka, Fumitaka; Uchikoshi, Masahito*; Isshiki, Minoru*

高純度のFeSi $_{2}$ 合金原料(99.9969%)及び低純度のFeSi $_{2}$ 原料(99.947%)で成長させた結晶の特性の違いを調べるために不純物分析を行い、不純物濃度と電気特性の関係を調べた。その結果、Mn, Cu, Ga, Wについては原料の純度を反映して低純度結晶の強度比が高純度結晶と比べて高かった。特にMn, Gaについてはp型不純物であることから、低純度結晶のp型伝導はこれら不純物の関与が考えられる。また、n型で1019cm $^{-3}$ と高い電子濃度を示す高純度結晶では、Zn以外の存在量は低く、ドナーとなる不純物濃度も低い。この結果は、高い電子濃度の原因が不純物ではないことを示唆する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2006/08
開催都市	:	草津
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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高純度FeSi合金を用いた-FeSi単結晶の溶液成長,2

Solution growth of -FeSi single crystal using a high purity FeSi source, 2

高純度FeSi $_{2}$ 合金を用いた-FeSi $_{2}$ 単結晶の溶液成長,2

Solution growth of -FeSi $_{2}$ single crystal using a high purity FeSi $_{2}$ source, 2