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Radiation effect of low energy C$$_{60}$$ ions on crystalline C$$_{60}$$ and Si targets

結晶性C$$_{60}$$とSiに対する低エネルギーC$$_{60}$$イオンの照射効果

鳴海 一雅; 楢本 洋; Lavrentiev, V.*; 境 誠司; Avramov, P.; 前田 佳均

Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi; Lavrentiev, V.*; Sakai, Seiji; Avramov, P.; Maeda, Yoshihito

結晶性標的(Si, Co, C$$_{60}$$)に対する10-400keV C$$_{60}$$イオンの照射効果を調べた結果、高いスパッタリング効果と高密度エネルギー付与による局所的な再結晶化が主な特徴であることがわかった。10-20keVのC$$_{60}$$イオンをSiに照射した場合、表面から数nmの非常に浅い領域のみが照射による影響を受け、Siのナノ結晶と非晶質層が混在していることが、チャネリングを併用したラザフォード後方散乱法と紫外光を用いたラマン分光法による分析から明らかになった。一方、Co薄膜に対するスパッタリング収率は、300-400keVのC$$_{60}$$を照射した場合、等速のAr, Neイオンのスパッタリング収率に匹敵することがわかり、このことはC$$_{60}$$イオンのスパッタリング収率が単体の炭素イオンの値を足し合わせたものではないことを示す。また、50keVのC$$_{60}$$イオンをC$$_{60}$$薄膜に照射した場合は、照射量の増大とともに、表面近傍でのC$$_{60}$$の多量体化が進み、また、スパッタリング収率が指数関数的に減少した。これはC$$_{60}$$の多量体化によって、スパッタリングに対する耐性が上がったからだと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

Joint International Conference 2nd International Nanocarbon Workshop & 2nd International Symposium Detonation Nanodiamonds; Technology, Properties and Applications (Nanocarbon & Nanodiamond 2006)

開催年月

 :

2006/09

開催都市

 :

St. Petersberg

開催国

 :

Russia

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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