Crystal nucleation behavior caused by annealing of SiC irradiated with Ne at liquid nitrogen temperature or at 573K

液体窒素温度又は573KでのNe照射により非晶質化させたSiCの焼鈍による結晶核生成挙動

相原 純 ; 北條 喜一; 古野 茂実*; 北條 智博; 沢 和弘; 山本 博之; 本橋 嘉信*

Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi*; Hojo, Tomohiro; Sawa, Kazuhiro; Yamamoto, Hiroyuki; Motohashi, Yoshinobu*

炭化珪素(SiC)のTEM試料を30keVNで1.9又は2.310Ne/mまで573K又は98Kで照射して非晶質化させた後、1273Kで30分焼鈍した。2.310Ne/mまで照射した試料においてはどちらの照射温度でも焼鈍後結晶核生成及び再結晶化に伴うバブル粗大化が観察された。核生成した結晶のデバイ・シェラーリングは母相のネットパターンによく重なったが、-SiCの(200)に相当するリングは観察されなかった。本実験の範囲では結晶核生成の照射温度依存性は見られなかった。

Silicon carbide(SiC) TEM specimens were annealed, in-situ, at 1273K for 30 minutes after amorphization with 30keV Ne irradiation to the fluence of 1.9 or 2.310Ne/m at 573K or about 98K. The crystal nucleation and bubble coalescence accompanied by recrystallization were observed in both specimens with the annealing after the irradiations. 2.310Ne/m irradiations in both specimens. The Debye-Sherrer rings of the nucleated crystals well fitted the net pattern of the matrix, even though no ring corresponding to (200) of -SiC appeared. Dependence of the crystal nucleation behavior on irradiation temperature was not observed within the present experimental range.