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A Long period, incommensurate longitudinal SDW/CDW state in UCu$$_2$$Si$$_2$$

UCu$$_2$$Si$$_2$$における長周期,不整合スピン/電荷密度波状態

本多 史憲; 目時 直人   ; 大隅 寛幸*; 筒井 智嗣*; 石井 賢司; 松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 大貫 惇睦*

Honda, Fuminori; Metoki, Naoto; Osumi, Hiroyuki*; Tsutsui, Satoshi*; Ishii, Kenji; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Onuki, Yoshichika*

UCu$$_2$$Si$$_2$$の反強磁性構造が、磁気モーメントの大きさが85.7Aにわたってほぼ正弦波的に変化する、長周期スピン密度波状態であることを中性子散乱実験によって明らかにした。さらに、放射光実験によって中性子回折では確認できなかった2次の衛星反射を確認し、これが電荷密度の分布によるものであることを突き止め、この物質において長周期スピン/電荷密度波状態が実現している可能性が高いことを示した。この長周期構造は、5f電子の遍歴性に起因すると思われる。類似した電子状態を示す他のUT$$_2$$Si$$_2$$化合物で報告された短周期の構造は、これまで局在5f電子間のフラストレートした反強磁性相互作用に基づくいわゆるANNNIモデルによって説明されてきたが、UCu$$_2$$Si$$_2$$の磁気構造はこのモデルで説明できない。これはUT$$_2$$Si$$_2$$化合物の電子状態を考えるうえで5f電子の遍歴性が重要であることを示唆する重要な結果である。

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