Regioselectivity control of radiation-induced reaction; Electron beam-induced Fries rearrangement of sulfonamide within -cyclodextrin inclusion complex

放射線反応によるレジオ選択性制御; -シクロデキストリン中でのスルホンアミドの電子線フリース転位反応

加藤 順*; 掛端 博之*; 前川 康成; 山下 俊*

Kato, Jun*; Kakehata, Hiroyuki*; Maekawa, Yasunari; Yamashita, Takashi*

量子ビームを利用した有機機能性材料創製の一環として、-シクロデキストリンで包摂されたスルホンアミド誘導体結晶の電子線フリース転位反応について検討した。非包摂体であるスルホンアミド誘導体結晶の電子線反応と比較したところ、包摂により、反応速度が著しく向上することに加え、生成物のレジオ選択性が、包摂化により逆転することがわかった。このように電子線反応とナノスペースを持った-シクロデキストリンによる包摂結晶化を組合せることで、溶媒フリーという環境にやさしく、しかも、反応性の向上と反応選択性の制御が実現できることを明らかとした。

EB (electron beam) irradiation of sulfonamide within -cyclodextrin (-CD) inclusion complex in the solid state induced the solvent-free Fries rearrangement, which proceeded at a shorter reaction time with reversed regioselectivity by inclusion into -CD, compared with that of sulfonamide crystals; the -CD as a restricted nanospace had much effect on the reactivity and regioselectivity of the solvent-free EB-Fries rearrangement.