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Photon stimulated ion desorption from condensed thiophene photoexcited around the S 1s-edge

イオウ1s吸収端近くのエネルギーのX線励起によるチオフェン分子凝縮系から光刺激イオン脱離

Rocco, M. L. M.*; 関口 哲弘  ; 馬場 祐治  

Rocco, M. L. M.*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Baba, Yuji

軟X線照射による固体表面での選択的化学反応の機構を明らかにすることを目的とし、固体表面に凝縮したチオフェン分子にイオウ1s吸収端近くの放射光X線を照射したときの脱離イオンとオージェスペクトルを測定した。S 1s励起による主な脱離イオン種としてはH$$^{+}$$, S$$^{+}$$、及びS$$^{2+}$$の3種類が観測された。H$$^{+}$$イオン強度のX線エネルギー依存性を測定したところ、二次電子強度のそれと類似していることから、H$$^{+}$$イオンの脱離はX線照射によって生じる二次電子の効果によるものであることがわかった。一方、S$$^{+}$$の脱離強度は、内殻共鳴吸収ピークよりも3eV高いエネルギーで増大することを見いだした。種々のX線エネルギーにおけるオージェ電子スペクトルを測定した結果、3eV高いエネルギーでの脱離は、S 1s軌道からRydberg状態へ共鳴励起された電子がオージェ遷移の間、Rydberg状態に留まることによって引き起こされることを明らかにした。

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パーセンタイル:34.33

分野:Materials Science, Coatings & Films

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