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Photon stimulated ion desorption from condensed thiolane photoexcited around the S 1s-edge

S 1s吸収端近傍の軟X線で励起されたチオラン分子結晶からのイオン脱離について

Rocco, M. L. M.*; 関口 哲弘  ; 馬場 祐治  

Rocco, M. L. M.*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Baba, Yuji

チオフェンの飽和化合物であるチオラン分子の結晶にS 1s吸収端近くの放射光を照射したときの脱離イオンとオージェ電子スペクトルを測定し、類似の構造で二重結合を持つチオフェン分子の場合と比較した。照射による脱離イオン強度はチオランの方がチオフェンよりはるかに大きかった。S 1s境域のX線吸収スペクトルにおける最初のピークは、S 1s軌道から反結合性のシグマ軌道への共鳴吸収によるものであり、このエネルギーのX線照射においてS+脱離強度の著しい増大が認められた。オージェ電子スペクトル測定の結果、この高い脱離収率は、内殻軌道から反結合性シグマ軌道に励起された電子が、その軌道に留まることによって誘起されることがわかった。また、S+イオン以外の脱離イオンは、共鳴励起による直接解離だけでなく、X線照射によって発生する二次電子の効果により引き起こされることを明らかにした。

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分野:Spectroscopy

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