反応性RFマグネトロンスパッタ法で作製した酸化タングステンの結晶構造

Characterization of tungsten oxide films deposited by RF sputtering method

Inoue, Aichi; Takano, Katsuyoshi; Yamamoto, Shunya; Nagata, Shinji*; Shikama, Tatsuo*

触媒金属を表面に堆積させた酸化タングステンは、水素が固溶すると着色する。物質選択性セラミック材料研究グループでは、その性質を利用した光学式水素センサーの開発を行っている。今回はRFマグネトロンスパッタ法を用いて、作製パラメータである基板温度,成膜中のアルゴン及び酸素分圧、投入電力を系統的に変え、結晶欠陥の少ない配向膜の作製条件を調べた。投入電力が50W、基板温度が400 $^{circ}$ C以上、酸素分圧が15mPa以上、アルゴン分圧が95175mPaの範囲で作製した膜の結晶構造をX線回折法により調べた結果、作製された膜は単斜晶系WO $_{3}$ の(0 0 1)面が1軸配向していることがわかった。また、1%に希釈した水素により着色性能を調べたところ、無配向性の多結晶体酸化タングステン膜に比べて1軸配向膜は速く着色することがわかった。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	日本金属学会2006年秋期(第139回)大会
開催年月	:	2006/09
開催都市	:	新潟
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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登録番号 : BB20061763
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