松浦 秀治*; 蓑原 伸正*; 稲川 祐介*; 高橋 美雪*; 大島 武; 伊藤 久義
Matsuura, Hideharu*; Minohara, Nobumasa*; Inagawa, Yusuke*; Takahashi, Miyuki*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
アルミ(Al)添加された炭化ケイ素(SiC)中の深いアクセプタ準位の起源を明らかにすることを目的に、Al添加六方晶(4H)SiCに炭素(C)元素のみがはじき出される200keVの電子線を照射し、ホール効果測定により正孔濃度の変化を調べた。その結果、室温での正孔濃度は電子線照射量の増加とともに減少するが、350
C以上の温度では電子線照射の有無によらず正孔濃度は一定となることが判明した。さらに、正孔濃度の温度依存性を解析したところAlアクセプタのエネルギー準位である200meVに加え370meVの深いアクセプタ準位が観測された。また、3
10
/cm
の照射量までは電子線の照射量の増加とともにAlアクセプタ濃度は減少し、深いアクセプタ濃度が増加するが、それ以上の照射量では深いアクセプタ濃度も若干ではあるが減少することが見いだされた。以上の結果より、深いアクセプタ準位に関しては、C空孔(V
)とAlが関与した複合欠陥であること,結晶損傷が大きくなると異なる構造を有する欠陥へ変化することが推測される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 556-557 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.379 - 382 |
発行年月 |
: | 2007/00 |
発表会議名 |
: | 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006) |
開催年月 |
: | 2006/09 |
開催都市 |
: | Newcastle |
開催国 |
: | U. K. |
キーワード |
: | no keyword |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
Altmetrics |
: |
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