Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in -type 4-SiC

電子常磁性共鳴を用いた型4-SiC中の格子置換位置炭素-空孔ペアの研究

Umeda, Takahide*; Oshima, Takeshi; Morishita, Norio; Ito, Hisayoshi; Isoya, Junichi*

炭化ケイ素(SiC)中のシリコン格子置換位置炭素(C $_{rm Si}$ )と炭素空孔( $_{rm C}$ )の複合欠陥(C $_{rm Si}$ - $_{rm C}$ )は、理論計算より型中で非常に安定であると予測されているが、実験的にはこれまで型や半絶縁基板のみでしか観測されていない。型SiCのC $_{rm Si}$ -V $_{rm C}$ の存在を確認するために、型六方晶(4)SiCの電子常磁性共鳴(EPR)測定を行った。800 $^{circ}$ Cにて3MeV電子線を照射することで欠陥を導入した型4-SiCのEPR測定を行ったところ、これまで報告されていない9と10という新たなシグナルを観測した。9及び10シグナルの角度依存性を測定したところ、それぞれ $_{3v}$ 及び $_{1h}$ 対称を示すことが明らかとなった。さらに、 $^{13}$ Cの超微細相互作用を詳細に解析することで、9及び10は、それぞれ、正に帯電したc軸方向及びc面内のC $_{rm Si}$ - $_{rm C}$ に起因するシグナルであることを同定した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Materials Science Forum
巻	:	556-557
号	:
ページ数	:	p.453 - 456
発行年月	:	2007/00
発表会議名	:	6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006)
開催年月	:	2006/09
開催都市	:	Newcastle
開催国	:	U. K.
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	電子加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : BB20062082
抄録集掲載番号 : 36000952
論文投稿番号 : 4264

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