p diodes irradiated with Au-ionspダイオードの金イオン照射における電荷収集効率の観測岩本 直也; 大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 琢郎*; 坂本 愛理*; 田中 礼三郎*; 中野 逸夫*; Wagner, G.*; 伊藤 久義; 河野 勝泰*
Iwamoto, Naoya; Oshima, Takeshi; Sato, Takahiro; Oikawa, Masakazu*; Onoda, Shinobu; Hishiki, Shigeomi; Hirao, Toshio; Kamiya, Tomihiro; Yokoyama, Takuro*; Sakamoto, Airi*; Tanaka, Reisaburo*; Nakano, Itsuo*; Wagner, G.*; Ito, Hisayoshi; Kawano, Katsuyasu*
六方晶炭化ケイ素(6H-SiC) npダイオードに12MeVの金イオンを照射し、ダイオードの電荷収集効率をイオンビーム励起過渡電流(TIBIC)によって評価した。酸素(O)及びシリコン(Si)イオンの照射では電荷収集効率(CCE)は100%であったが、金イオンでは約50%であった。イオン入射によって6H-SiC npダイオードで発生した電子-正孔対の濃度をKobetich & Katz(KK)モデルを使って評価すると、電子-正孔対の濃度は入射イオンの原子番号が大きくなると増加することが明らかとなった。したがって、金イオンを入射した6H-SiC npダイオードにおけるCCEの減少は、高濃度の電子-正孔対内での電子と正孔の再結合に起因することが示唆される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.185 - 188 |
発行年月 |
: | 2006/10 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 2006/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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