Si(110)-162清浄表面初期酸化過程の放射光・光電子分光による観察

Analysis of initial oxidation on Si(110)-162 surface using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy

加藤 篤*; 富樫 秀晃*; 山本 喜久*; 今野 篤史*; 成田 克*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 高橋 裕也*; 朝岡 秀人  

Kato, Atsushi*; Togashi, Hideaki*; Yamamoto, Yoshihisa*; Konno, Atsushi*; Narita, Yuzuru*; Suemitsu, Maki*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Takahashi, Yuya*; Asaoka, Hidehito

Si(110)面の酸化は次世代CMOS技術として注目を集めている。今回、リアルタイム放射光光電子分光法を用いて酸素ガスによるSi(110)-162清浄表面の初期酸化過程を解析した。酸素圧力1.110Paで室温酸化したところ、O1s光電子スペクトルは三つのピークに分離された。酸化が進むにつれて低結合エネルギーの酸化状態からより高い結合エネルギーの酸化状態へと変化することから、低結合エネルギー状態が準安定であることが示唆された。高温酸化でも同様に三つのピークに分離できたが、準安定ピークは含まれていない。こうした低温酸化での準安定ピークの振る舞いはSi(111)表面の酸化でも見られることから、Si(110)表面が(111)ファセットを多く含むと推察される。室温,高温ともにSi(110)表面の初期酸化は酸素導入直後に表面の20-30%が直ちに酸化される急速初期酸化を示した。これは今回得られた実験結果からSi(110)-162再配列構造に存在するアドアトムクラスターが優先的に酸化されることによるものと理解できる。

no abstracts in English