反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造の研究

Structure of In/Si(111) studied by reflection high-energy positron diffraction

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

In/Si(111)-41表面は、Si(111)表面にIn原子を1原子層吸着させることにより形成される表面超構造であり、擬1次元金属鎖であることが確認されている。この表面を室温から冷却すると、130K程度でIn/Si(111)-82構造へと相転移することが知られているが、その相転移のメカニズムについては、実験手法によって結論も異なるため、解明されていない。また、それらの構造についてもまだよくわかっていない。本研究では、最表面に敏感な反射高速陽電子回折(RHEPD)を用いて、室温と低温におけるIn/Si(111)表面からのRHEPD強度のロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度解析から、相転移前後の原子位置について報告する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第26回表面科学講演大会
開催年月	:	2006/11
開催都市	:	吹田
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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