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Si(110)-16$$times$$2清浄表面初期酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察

Scanning tunneling microscope observation on initial oxidization at Si surfaces

高橋 裕也*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 朝岡 秀人  ; 今野 篤史*; 末光 眞希*

Takahashi, Yuya*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Asaoka, Hidehito; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*

Si(110)面は、デバイスの高速化及び高集積化の点から次世代CMOSテクノロジーに必須の活性面として注目を集めている。Si(001)面と異なりSi(110)表面では酸素導入直後に表面の25-30%が直ちに酸化される急速初期酸化が生じる。被覆率の検討から、この急速初期酸化状態がSi(110)-16$$times$$2の基本構成ユニットであるペンタゴン・ペア(PP)に関連する可能性が示唆されるが、その直接的検証は未だなされていなかった。われわれは走査型トンネル顕微鏡(STM)を用い、酸素ガスを用いたSi(110)-16$$times$$2清浄表面への初期酸化過程を観察し、アドアトムに関連する段階的に進行する酸化状態を見いだした。

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