2清浄表面初期酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察高橋 裕也*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 朝岡 秀人 
; 今野 篤史*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆
Takahashi, Yuya*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Asaoka, Hidehito; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka
デバイスの高速化及び高集積化の点から極薄酸化膜の初期形成過程の理解は欠かすことができない。われわれはSi(001)面とSi(110)面をリアルタイム放射光光電子分光法と走査型トンネル顕微鏡STMを用い、清浄表面への初期酸化過程を観察し、酸化機構の比較を行った。Si(001)面が通常の酸化核発生と成長過程で表されるラングミュア型酸化曲線を描くのに対し、Si(110)表面では酸素導入直後に表面の25-30%が直ちに酸化される急速初期酸化が生じた。また両面方位の清浄表面への初期酸化過程を示す原子像の観察から、各方位に存在するアドアトムに特有の酸化状態を見いだした。
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使用言語 |
: | English |
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発表会議名 |
: | 2nd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics |
開催年月 |
: | 2006/10 |
開催都市 |
: | Sendai |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
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