杉本 雅樹; Piroonpan, T.; Wach, R. A.; 吉川 正人
Sugimoto, Masaki; Piroonpan, T.; Wach, R. A.; Yoshikawa, Masahito
耐熱・耐蝕性に優れた炭化ケイ素(SiC)マイクロチューブは、前駆体高分子材料を繊維化し、電子線照射で表面のみ酸化して架橋させ、未架橋の繊維内部を溶媒で抽出後に焼成してセラミックスに転換する手法で合成できる。この溶媒抽出の際に、前駆体高分子材料であるポリカルボシランが膨潤して中空形状が変形し強度低下の原因となっている。そこで、電子線酸化時の線量率,温度,酸素分圧と、照射後の熱処理温度によりチューブの厚さと架橋度を制御し、最適な合成条件を探索した。その結果、壁厚と繊維直径の比が、0.32以上では穴が小さすぎて抽出不能であり、0.18以下では強度不足となりチューブ形状の保持が困難であることから、0.18
0.32がチューブの合成に適していることが明らかになった。
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使用言語 |
: | English |
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発表会議名 |
: | 2nd International Symposium on Development of Silicon-based Functional Materials |
開催年月 |
: | 2006/11 |
開催都市 |
: | Kiryu |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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