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Si(110)表面上16$$times$$2再配列比率の温度依存性

Temperature dependence of Si(110)-16$$times$$2 reconstruction

高橋 裕也*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 朝岡 秀人  ; 今野 篤史*; 末光 眞希*

Takahashi, Yuya*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Asaoka, Hidehito; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*

さらなるデバイスの高速化及び高集積化の観点から、Si(110)面が次世代CMOSテクノロジーの活性面として注目を集めている。Si(110)清浄表面は16$$times$$2再配列構造を示すことが知られているが、同表面を再現性よく実現する手段はいまだ確立されていない。今回われわれはSi(110)表面上の16$$times$$2再配列比率がどのような熱処理温度依存性を示すかをSTM観察により調べた。その結果Si(110)清浄表面においては、700$$^{circ}$$C付近で1$$times$$1と16$$times$$2の構造遷移が発生し始め、600$$^{circ}$$C$$sim$$650$$^{circ}$$Cで10分間熱処理をすることで、ほぼ全域が16$$times$$2に再配列することを見いだした。

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