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反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究

Structural phase transition of In/Si(111) surface studied by reflection high-energy positron diffraction

橋本 美絵; 深谷 有喜   ; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

In/Si(111)-4$$times$$1表面は、擬1次元金属鎖を形成し130K程度で電荷密度波の形成を伴うパイエルス転移を起こすと考えられている。しかしながら、低温相であるIn/Si(111)-8$$times$$2構造の原子配置やその相転移のメカニズムについては、実験手法によって結論も異なるため、まだ解明されていない。前回、一波条件でのRHEPDロッキング曲線の測定結果から、相転移前後において、In原子の表面垂直位置は変化しないことを明らかにした。今回、超格子スポットを含むRHEPDパターンの測定に成功した。またロッキング曲線の解析を行い、相転移前後における擬1次元金属鎖の表面平行方向の原子変位について報告する。

no abstracts in English

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