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Growth of ferroelectric bismuth lanthanum nickel titanate thin films by RF magnetron sputtering

高周波マグネトロンスパッタリングによる強誘電性ビスマスランタンニッケルチタン酸化物薄膜の成長

小舟 正文*; 福島 浩次*; 山路 徹*; 多田 英人*; 矢澤 哲夫*; 藤澤 浩訓*; 清水 勝*; 西畑 保雄; 松村 大樹; 水木 純一郎; 山口 秀史*; 小高 康稔*; 本田 耕一郎*

Kobune, Masafumi*; Fukushima, Koji*; Yamaji, Toru*; Tada, Hideto*; Yazawa, Tetsuo*; Fujisawa, Hironori*; Shimizu, Masaru*; Nishihata, Yasuo; Matsumura, Daiju; Mizuki, Junichiro; Yamaguchi, Hideshi*; Kotaka, Yasutoshi*; Honda, Koichiro*

高周波マグネトロンスパッタリングにより、Pt(100)/MgO(100)基板上に作製したビスマスランタンニッケル酸化物薄膜(Bi$$_{1-x}$$La$$_{x}$$)(Ni$$_{0.5}$$Ti$$_{0.5}$$)O$$_{3}$$(BLNT)のエピタキシャル成長、構造特性、誘電特性について、X線回折、透過型電子顕微鏡、ヒステリシスループ測定によって調べられた。強誘電的BLNTはx$$geq$$0.3でc軸配向し、単結晶の正方晶構造が現れる。c/aはLaの濃度が増えるにつれて1.004から1.028に変化する。成長方向の周りに4回対称性が見られた。X線異常散乱とX線吸収スペクトルの結果より、Biはペロブスカイト構造のAを+3価で占有していることが確かめられた。12$$mu$$C/cm$$^{2}$$の大きな残留分極の値が得られた。

no abstracts in English

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パーセンタイル:65.11

分野:Physics, Applied

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